SN74CB3Q3245RGYR 100% নতুন এবং আসল DC থেকে DC কনভার্টার এবং সুইচিং রেগুলেটর চিপ
পণ্য বৈশিষ্ট্য
| টাইপ | চিত্রিত করা |
| বিভাগ | সিগন্যাল সুইচার, মাল্টিপ্লেক্সার, ডিকোডার |
| প্রস্তুতকারক | টেক্সাস ইনস্ট্রুমেন্ট |
| সিরিজ | 74CB |
| মোড়ানো | টেপ এবং রোলিং প্যাকেজ (TR) অন্তরক টেপ প্যাকেজ (সিটি) ডিজি-রিল® |
| পণ্যের অবস্থা | সক্রিয় |
| টাইপ | বাসের সুইচ |
| সার্কিট | 8 x 1：1 |
| স্বাধীন সার্কিট | 1 |
| বর্তমান - আউটপুট উচ্চ, কম | - |
| ভোল্টেজ সরবরাহের উৎস | একক পাওয়ার সাপ্লাই |
| ভোল্টেজ - পাওয়ার সাপ্লাই | 2.3V ~ 3.6V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C ~ 85°C |
| ইনস্টলেশন প্রকার | পৃষ্ঠ আঠালো টাইপ |
| প্যাকেজ/হাউজিং | 20-VFQFN উন্মুক্ত প্যাড |
| বিক্রেতা উপাদান encapsulation | 20-VQFN (3.5x4.5) |
| পণ্য মাস্টার নম্বর | 74CB3Q3245 |
পণ্য পরিচিতি
SN74CB3Q3245 হল একটি উচ্চ-ব্যান্ডউইথ FET বাস সুইচ যা পাস ট্রানজিস্টরের গেট ভোল্টেজকে উন্নত করতে একটি চার্জ পাম্প ব্যবহার করে, একটি নিম্ন এবং সমতল অন-স্টেট প্রতিরোধ (রন) প্রদান করে।নিম্ন এবং ফ্ল্যাট অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স ন্যূনতম প্রচার বিলম্বের জন্য অনুমতি দেয় এবং ডেটা ইনপুট/আউটপুট (I/O) পোর্টগুলিতে রেল-টু-রেল স্যুইচিং সমর্থন করে।ডিভাইসটিতে ডেটা বাসে ক্যাপাসিটিভ লোডিং এবং সিগন্যাল বিকৃতি কমাতে কম ডেটা I/O ক্যাপাসিট্যান্সও রয়েছে।উচ্চ-ব্যান্ডউইথ অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে সমর্থন করার জন্য বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে, SN74CB3Q3245 ব্রডব্যান্ড যোগাযোগ, নেটওয়ার্কিং এবং ডেটা-ইনটেনসিভ কম্পিউটিং সিস্টেমের জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত একটি অপ্টিমাইজড ইন্টারফেস সমাধান প্রদান করে।
SN74CB3Q3245 একটি একক আউটপুট-সক্ষম (OE\) ইনপুট সহ একটি 8-বিট বাস সুইচ হিসাবে সংগঠিত।OE\ কম হলে, বাসের সুইচ চালু থাকে এবং A পোর্ট B পোর্টের সাথে সংযুক্ত থাকে, যা পোর্টের মধ্যে দ্বিমুখী ডেটা প্রবাহের অনুমতি দেয়।যখন OE উচ্চ হয়, তখন বাসের সুইচ বন্ধ থাকে এবং A এবং B পোর্টের মধ্যে একটি উচ্চ-প্রতিবন্ধক অবস্থা বিদ্যমান থাকে।
Ioff ব্যবহার করে আংশিক-পাওয়ার-ডাউন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য এই ডিভাইসটি সম্পূর্ণরূপে নির্দিষ্ট করা হয়েছে৷Ioff সার্কিটরি যখন এটি চালিত হয় তখন ডিভাইসের মাধ্যমে ক্ষতিকারক বর্তমান ব্যাকফ্লো প্রতিরোধ করে।পাওয়ার অফের সময় ডিভাইসটির বিচ্ছিন্নতা রয়েছে।
পাওয়ার আপ বা পাওয়ার ডাউনের সময় উচ্চ-প্রতিবন্ধক অবস্থা নিশ্চিত করতে, OE\ একটি পুলআপ প্রতিরোধকের মাধ্যমে VCC এর সাথে আবদ্ধ করা উচিত;রোধের সর্বনিম্ন মান ড্রাইভারের বর্তমান-ডুবানোর ক্ষমতা দ্বারা নির্ধারিত হয়।
পণ্যের বৈশিষ্ট্য
- উচ্চ-ব্যান্ডউইথ ডেটা পাথ (500 MHz পর্যন্ত ↑)
- IDTQS3VH384 ডিভাইসের সমতুল্য
- ডিভাইস পাওয়ারড-আপ বা পাওয়ারড-ডাউন সহ 5-V সহনশীল I/Os
- লো এবং ফ্ল্যাট অন-স্টেট রেজিস্ট্যান্স (রন) অপারেটিং রেঞ্জের উপরে বৈশিষ্ট্য (রন = 4Ωটিপিকাল)
- রেল-টু-রেল ডেটা I/O পোর্টস দ্বিমুখী ডেটা ফ্লো চালু করা, কাছাকাছি-শূন্য প্রচার বিলম্বের সাথেকম ইনপুট/আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স লোডিং এবং সিগন্যাল বিকৃতি কম করে (Cio(OFF) = 3.5 pF সাধারণ)
- 3.3-V VCC সহ 0- থেকে 5-V সুইচিং
- 2.5-V VCC সহ 0- থেকে 3.3-V সুইচিং
- দ্রুত পরিবর্তনের ফ্রিকোয়েন্সি (fOE\ = 20 MHz সর্বোচ্চ)
- ডেটা এবং কন্ট্রোল ইনপুট আন্ডারশুট ক্ল্যাম্প ডায়োড প্রদান করে
- কম শক্তি খরচ (ICC = 1 mA সাধারণত)
- VCC অপারেটিং রেঞ্জ 2.3 V থেকে 3.6 V পর্যন্ত
- ডেটা I/Os সমর্থন 0 থেকে 5-V সিগন্যালিং স্তর (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- কন্ট্রোল ইনপুট TTL বা 5-V/3.3-V CMOS আউটপুট দ্বারা চালিত হতে পারে
- Ioff আংশিক-পাওয়ার-ডাউন মোড অপারেশন সমর্থন করে
- ল্যাচ-আপ পারফরম্যান্স প্রতি JESD 78, ক্লাস II 100 mA ছাড়িয়ে গেছে
- ESD পারফরম্যান্স পরীক্ষিত প্রতি JESD 22 ডিজিটাল এবং এনালগ উভয় অ্যাপ্লিকেশনকে সমর্থন করে: PCI ইন্টারফেস, ডিফারেনশিয়াল সিগন্যাল ইন্টারফেস, মেমরি ইন্টারলিভিং, বাস আইসোলেশন, লো-ডিস্টরশন সিগন্যাল গেটিং
- 2000-V হিউম্যান-বডি মডেল (A114-B, ক্লাস II)
- 1000-V চার্জড-ডিভাইস মডেল (C101)
পণ্যের সুবিধা
- তাপ ব্যবস্থাপনা এবং ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা
তাপ ব্যবস্থাপনা ব্যাটারি চার্জার ডিজাইনারদের জন্য আরেকটি বড় চ্যালেঞ্জ।তাপ অপচয়ের কারণে চার্জিং প্রক্রিয়া চলাকালীন প্রতিটি চার্জার চিপ একটি ভোল্টেজ ড্রপ অনুভব করে।ব্যাটারির ক্ষতি বা সিস্টেম শাটডাউন এড়াতে, বেশিরভাগ চার্জার তাপ বিল্ড আপ পরিচালনা করার জন্য কিছু ধরণের নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা অন্তর্ভুক্ত করে।নতুন ডিভাইসগুলি ক্রমাগত ডাই তাপমাত্রা নিরীক্ষণ করতে আরও পরিশীলিত প্রতিক্রিয়া কৌশল ব্যবহার করে এবং চার্জ কারেন্টকে গতিশীলভাবে বা পরিবেষ্টিত তাপমাত্রার পরিবর্তনের আনুপাতিক হারে গণনা করে সামঞ্জস্য করে।এই অন্তর্নির্মিত বুদ্ধিমত্তা বর্তমান চার্জার চিপকে ধীরে ধীরে চার্জিং কারেন্ট কমাতে দেয় যতক্ষণ না তাপীয় ভারসাম্য পৌঁছায় এবং ডাই তাপমাত্রা বৃদ্ধি না পায়।এই প্রযুক্তিটি চার্জারটিকে সিস্টেমটি বন্ধ না করে সর্বোচ্চ সম্ভাব্য কারেন্টে ক্রমাগত ব্যাটারি চার্জ করতে দেয়, এইভাবে ব্যাটারি চার্জ করার সময় হ্রাস করে।বেশিরভাগ নতুন ডিভাইসগুলিও সাধারণত একটি ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা ব্যবস্থা যুক্ত করবে।
চার্জার BQ25616JRTWR ব্যাটারি চার্জিং এবং সিস্টেম অপারেশনের জন্য বিভিন্ন নিরাপত্তা বৈশিষ্ট্য প্রদান করে, যার মধ্যে ব্যাটারি নেগেটিভ টেম্পারেচার কোফিসিয়েন্ট থার্মিস্টর মনিটরিং, চার্জিং সেফটি টাইমার এবং ওভারভোল্টেজ এবং ওভার-কারেন্ট সুরক্ষা রয়েছে।জংশন তাপমাত্রা 110 ডিগ্রি সেলসিয়াসের বেশি হলে তাপ নিয়ন্ত্রণ চার্জ কারেন্টকে হ্রাস করে।STAT আউটপুট চার্জিং স্থিতি এবং কোনো ত্রুটির অবস্থার প্রতিবেদন করে।
অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প
ব্যাটারি চার্জার চিপ এক ধরনের পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপের অন্তর্গত, অ্যাপ্লিকেশন পরিসীমা খুব বিস্তৃত।পুরো মেশিনের কর্মক্ষমতা উন্নত করার জন্য পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপগুলির বিকাশ গুরুত্বপূর্ণ, পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপগুলির পছন্দ সরাসরি সিস্টেমের প্রয়োজনের সাথে সম্পর্কিত, যখন ডিজিটাল পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট চিপগুলির বিকাশ এখনও খরচের বাধা অতিক্রম করতে হবে।
BQ25616/616J হল একক সেল লি-আয়ন এবং লি-পলিমার ব্যাটারির জন্য একটি অত্যন্ত সমন্বিত 3-A সুইচ-মোড ব্যাটারি চার্জ ম্যানেজমেন্ট এবং সিস্টেম পাওয়ার পাথ ম্যানেজমেন্ট ডিভাইস।সমাধানটি ইনপুট রিভার্স-ব্লকিং FET (RBFET, Q1), হাই-সাইড সুইচিং FET (HSFET, Q2), লো-সাইড সুইচিং FET (LSFET, Q3), এবং ব্যাটারি FET (BATFET, Q4) এর সাথে সিস্টেম এবং ব্যাটারি.কম ইম্পিডেন্স পাওয়ার পাথ সুইচ-মোড অপারেশন দক্ষতাকে অপ্টিমাইজ করে, ব্যাটারি চার্জিং টাইম কমায় এবং ডিসচার্জিং পর্যায়ে ব্যাটারি চালানোর সময় বাড়ায়।
BQ25616/616J হল একটি অত্যন্ত সমন্বিত 3-A সুইচ-মোড ব্যাটারি চার্জ ম্যানেজমেন্ট এবং লি-আয়ন এবং লি-পলিমার ব্যাটারির জন্য সিস্টেম পাওয়ার পাথ ম্যানেজমেন্ট ডিভাইস।এতে স্পিকার, ইন্ডাস্ট্রিয়াল এবং মেডিকেল পোর্টেবল ডিভাইস সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ ইনপুট ভোল্টেজ সমর্থন সহ দ্রুত চার্জিং বৈশিষ্ট্য রয়েছে।এর কম ইম্পিডেন্স পাওয়ার পাথ সুইচ-মোড অপারেশন দক্ষতাকে অপ্টিমাইজ করে, ব্যাটারি চার্জিং টাইম কমায় এবং ডিসচার্জিং পর্যায়ে ব্যাটারি চালানোর সময় বাড়ায়।এর ইনপুট ভোল্টেজ এবং কারেন্ট রেগুলেশন ব্যাটারিতে সর্বোচ্চ চার্জিং পাওয়ার প্রদান করে।
সমাধানটি ইনপুট রিভার্স-ব্লকিং FET (RBFET, Q1), হাই-সাইড সুইচিং FET (HSFET, Q2), লো-সাইড সুইচিং FET (LSFET, Q3), এবং ব্যাটারি FET (BATFET, Q4) এর সাথে সিস্টেম এবং ব্যাটারি.এটি সরলীকৃত সিস্টেম ডিজাইনের জন্য হাই-সাইড গেট ড্রাইভের জন্য বুটস্ট্র্যাপ ডায়োডকেও সংহত করে।হার্ডওয়্যার সেটিং এবং স্ট্যাটাস রিপোর্ট চার্জিং সমাধান সেট আপ করার জন্য সহজ কনফিগারেশন প্রদান করে।
